從「定義與物理 → 頻散特性 → 量測與數據讀法 → 設計指引與案例 → 常見誤區」解說吸波材導磁率（permeability, μ）說明。

1) 什麼是導磁率（μ）

吸波材的電磁參數是複數導磁率 μ(ω)=μ′(ω)−jμ″(ω)。

• μ′：儲能項，影響阻抗匹配與等效波速。

• μ″：損耗項，代表磁能轉熱的效率（磁損）。
  常用磁損正切：tan δm=μ″/μ′；同理介電損為 tan δε=ε″/ε′。吸波成效來自「波先進得去（匹配）」＋「進去後消得掉（損耗）」；前者仰賴 μ′、ε′ 調出表面阻抗，後者仰賴 μ″、ε″ 增衰減常數。

2) 頻散與機制

磁性損耗主要來自：

• 自然共振（natural resonance）：單磁畴顆粒在GHz近域有峰值，μ″在共振附近上升。

• 交換共振（exchange resonance）：更高頻機制。

• 渦電流損：導電顆粒/片狀在較高頻引入額外損耗。
  設計上常以Snoek極限（對等向軟磁系，f_r·(μ_s−1)≈常數）做上限判斷：想把共振推高（高f_r）與保留高μ′很難兩全，需靠摻雜、形貌各向異性（片/針/中空）與複合折衷。

3) 典型材料的 μ 範圍與趨勢

• MnZn 鐵氧體：低頻（kHz–MHz）μ′可達10³等級，但至數十MHz以上迅速跌向1，適合低頻抑制與磁通導引。

• NiZn 鐵氧體：MHz–數百MHz保有較溫和的μ′（~10–200，視配方/頻率），至GHz趨近1；常見於NFC/EMI薄片。

• FeSiAl/合金粉：低GHz仍有磁損，但導電度較高，需兼顧渦電流與密度。

• 碳/介電體系：基本 μ′≈1，幾乎不提供磁損，主走介電損；毫米波吸收多靠阻性膜/超表面，而非μ。
  結論：<1 GHz 想薄做吸收，靠磁損；>10 GHz 多半靠介電/阻性結構，因 μ 在毫米波通常接近1。

4) 厚度與匹配：μ 如何進入設計式

四分之一波近似：t≈c/[4f√(εrμr)]。在目標f，若能讓μ′>1、ε′適度，匹配厚度可變薄。同時希望在該f 附近 μ″、ε″ 夠大，使穿透路徑內完成耗散。實務多採梯度/多層（匹配層→損耗層）或Salisbury/Jaumann/超表面結構，兼顧帶寬與角度容差。

5) 量測與數據讀法

材料層級常用同軸線/波導/自由空間法量 S11/S21，再用 NRW 反演取得 ε*(f)、μ*(f)。看報表時重點：

• 指定頻帶內 μ′、μ″曲線與tan δm。

• 配合厚度公差與背板/空層條件（有背金屬or懸空）。

• 留意溫度/濕度漂移、飽和磁化與居里溫度；高溫或外加偏磁會改變 μ。

• 材料μ接近1卻能吸收？可能靠 ε″或結構共振；需同看ε*。

6) 工程選型指引（經驗範圍）

• 近場EMI（100 MHz–3 GHz）：選 NiZn/複合磁性片，期望 μ′≈2–10、tan δm≈0.2–1；厚度0.2–1 mm，小片貼在噪源/邊界而非天線主通道。

• 低頻磁干擾（kHz–MHz）：MnZn或高μ材料導引磁通，但不等於吸收；若要吸收需搭配電阻/介電損層。

• 毫米波雷達（>24/60/77 GHz）：μ≈1，靠阻性薄膜+低ε間隔層+背板或超表面；談 μ 已不關鍵。

• 結構輕量化：中空/多孔/片狀顆粒提高界面極化並降低密度；核殼/包覆（silane/碳包覆）可穩定 μ 與分散。

7) 與介電參數的協同

良好吸收常見兩路協同：磁損補低頻、介電損補高頻；或以磁損把匹配厚度壓薄，再用介電損完成耗散。過度導電（ε″過大且表面片阻過低）會把波反彈在表面，吸收反而變差，需調整片阻/體積電阻與層次結構。

8) 可靠度與製程

μ 對顆粒尺寸、形貌與體積分率敏感；批次差異會引發中心頻飄移。背膠、含水率與壓合厚度也會改變等效 μ、ε。實務需：

• 控厚度±0.02–0.05 mm；烘乾/真空除濕防吸水致參數漂移。

• 高溫/濕熱/鹽霧/UV 老化後再比對 μ*(f) 變化，評估壽命。

9) 常見誤區

• 只追高 μ′：若 μ″不足或表面失配，進不去=不吸收。

• 以為μ越高越寬帶：帶寬取決於μ、ε頻散與結構；單參數無法保證寬帶。

• GHz 以上仍想靠鐵氧體薄片：μ已趨1，多半效率不佳。應改走阻性/超表面路徑。

• 忽略熱與黏著：吸收即發熱；小腔體需 Thermal–EMI 共設計與耐溫背膠。

總結：導磁率決定了「能否在有限厚度下把波引入並吸掉」的大半劇本。設計上用 μ′ 打開匹配、用 μ″ 提供磁損，再與 ε′/ε″、片阻與多層結構協同，才能在目標頻段、角度與實際環境中取得薄、寬、穩的吸收表現。