隨著 5G 技術快速普及,5G 裝置與基礎設備(包括 5G 手機、室內外小型基地台、毫米波天線模組、CPE、企業閘道器等)必須支援更高頻寬、更高速率與更低延遲。然而,5G 系統同時面臨更嚴峻的電磁干擾(EMI/RFI)挑戰,尤其在 Sub-6GHz 與毫米波(mmWave, 24–40+ GHz)下,高頻訊號更容易因近場耦合、天線間互擾、金屬結構反射而導致效能下降。此時,吸波材(Electromagnetic Absorber)已成為 5G 系統中關鍵的干擾抑制解決方案,有助提升通訊品質、降低訊號損耗並改善整體 EMC 表現。
5G 設備為提升吞吐量需整合大量天線,密集天線陣列造成:
互相耦合
漏波(leakage)
天線增益下降
進而降低信號品質。
mmWave 傳輸距離短、易被吸收,稍受結構干擾便致效率下降。
5G 裝置常含高速介面如 PCIe/USB3/SerDes,也會造成 EMI。
DC-DC Switching Noise 會造成系統性高頻雜訊干擾。
若干擾未改善,會造成:
資料吞吐量下降
網速不穩、延遲變大
覆蓋率下降
產品 EMC 不合格
因此需有效 EMI 管理技術。
吸波材透過磁性損耗或介電損耗,將電磁波能量轉換為熱能,有效吸收特定或寬頻頻段的干擾。
主要特性:
適用高頻(1–40+ GHz)
可薄型化(0.05–1mm)
可彎曲,易貼附
寬頻吸收,可局部改善
可針對 mmWave 設計
類型包含:
磁性吸波材料(適用 100 MHz–10 GHz)
介電吸波材料(適用 10–40+ GHz)
複合型吸波材(寬頻應用)
在 Massive MIMO 與 AiP (Antenna-in-Package)中,可在天線模組周圍貼附吸波材,降低:
天線間互擾
漏波
結構反射
有助維持天線增益、改善方向性與吞吐量。
5G 手機與 CPE 中 mmWave 天線易受金屬框、散熱器影響。
吸波材可:
消除反射
改善近場耦合
提升天線效率與 coverage。
PCIe/USB3/SerDes 線路可貼吸波材於:
IC 上方
I/O 連接器
高速走線附近
可抑制高頻噪訊泄漏並提升 SI/PI。
Switching Power 會對 RF/天線產生寬頻干擾,吸波材可局部貼附於:
PMIC
VRM
Inductor
降低噪聲干擾,提升通訊穩定度。
5G 裝置密集結構造成 EMC 測試難通過,吸波材能在不改版條件下快速改善 EMI,縮短開發週期。
✔ 降低 EMI / RFI
✔ 改善 mmWave 與 Sub-6G 天線效率
✔ 提升網速與資料吞吐量
✔ 改善訊號完整性(SI / PI)
✔ 提升系統穩定度
✔ 縮短產品認證時間
✔ 可局部補強、成本彈性高
5G 系統中,吸波材通常與金屬屏蔽、導電絨布、接地等技術搭配使用,以達最佳電磁控制。
5G 系統因高速與高頻特性,使 EMI/RFI 問題更具挑戰,尤其在 Massive MIMO 與毫米波應用下,天線間互擾、結構反射與高速線路輻射皆會降低通訊效能。吸波材以薄型、彈性高與寬頻吸收能力,可有效在天線區、高速介面、電源模組等關鍵位置抑制干擾,提升訊號品質、通訊穩定性並加速產品通過 EMC 認證。
在 5G 手機、基地台與 CPE 等領域,吸波材已成為關鍵電磁解決方案,並將隨 mmWave 與 6G 技術發展而更加重要。